실리콘 을 초과 하 다

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실 란 변성 중합 체 전자 성능 에 영향 을 주 는 주요 요 소 는 다음 과 같다.

1.1 메 인체 인 원자 와 체인 길이
는 탄소 족 원소 에서 Si 에서 Sn 까지 원자 반지름 이 커지 면서 형 성 된 σ 키 의 변형 능력 이 점점 커지 고 키 에너지 와 도약 에너지 갭 이 순서대로 줄어든다.따라서 Si 에서 Sn 까지 기 상 을 대체 하 는 동시에 체인 중합 체 의 자외선 흡수 봉 이 점점 빨 개 지고 광 화학 반응 성 이 점점 증가한다.잡 원자 가 메 인체 인 에 섞 였 을 때 σ 공 액 구조 가 파괴 되 었 다.공 액 구조 가 부족 한 상황 에서 실 란 변성 중합 체 의 상관 성 은 오히려 떨어진다.

1.2 실리콘 메 인체 인

1.3 사 이 드 체인 대체 기 성질

1.4 교련, 그물 모양 과 성형 구조
사이즈 의 증 가 는 폴리 실 란 중합 체 의 이 역 성 을 증가 시 켰 다.전도 궤도 고도 차 감소.따라서 폴리 실 란 의 자외선 흡수 는 사이즈 가 증가 함 에 따라 빨 개 지고 발사 스펙트럼 이 넓 어 진다.따라서 대부분 자외선 구역 에서 만 발사 되 는 폴리 실 란 에 비해 교련, 네트워크 화 또는 성형 폴리 실 란 은 가시광선 구역 에서 빛 을 발 할 수 있다.그러나 그물 모양 의 폴리 실 란 의 지점 으로 인해 교련 밀도 가 높 아 폴리 실 란 의 전체적인 구조 가 떨어진다.따라서 실 란 변성 중합 체 의 분자 체인 유연성 과 용해 성 이 떨어진다.